單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應用
單晶硅片和多晶硅片的主要區(qū)別在于它們的結構和純度要求。單晶硅片具有完整的點陣結構，而多晶硅片則是由許多小的晶體結構組成。此外，單晶硅片對純度要求非常高，通常達到99.9999%，而多晶硅片對純度要求相對較低。
在制造工藝方面，單晶硅片通常在單晶爐內拉制而成，需要使用高純度的多晶硅作為原料。而多晶硅片可以通過澆鑄、切片等工藝制造。
在應用領域方面，單晶硅片主要用于制造半導體器件、太陽能電池等高精度和高效率的應用領域。多晶硅片主要用于制造太陽能電池等低成本的應用領域。
在發(fā)電效率方面，單晶硅片的發(fā)電效率通常比多晶硅片高，但價格也相應更高。單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應用
在氬氣中氧含量的控制方面，ADEV G9600便攜式微量氧分析儀是一種高精度、高靈敏度的分析儀器，可以實時監(jiān)測氬氣中的氧含量，確保其控制在合適的范圍內。
ADEV便攜式微量氧分析儀
型號：G9600
簡單介紹
G9600微量氧分析儀技術規(guī)格:
精度：<1%滿量程
范圍： 0-1,0-10,0-100，0-1000ppm 1%，或25%自動切換
應用：對惰性氣體，碳氫氣體，He，H2，CO2中的氧含量進行10ppb-10000ppm分析
*儲存：具有數(shù)據(jù)儲存功能，可存儲10000個數(shù)據(jù)
*語言：英文界面，可選中文單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應用
*輸出：RS485
標定：使用濃度大約為80%量程或更高的經(jīng)過認證的標準氣體
補償：溫度
接口：1/8”接頭
控制：旁邊不銹鋼開關鍵，正面功能鍵，屏幕開關鍵。
外觀：155*300*340
流量影響：0.25-2.5 L/M,推薦流量:1 L/M
壓力：0.2-1公斤；排空-大氣壓
電源：可充電電池，單電池可持續(xù)60天，開泵1天（內置泵為可選部件）
恢復時間：在空氣中暴露60秒鐘，用氮氣恢復至10ppm的時間為20分鐘
響應時間：90%滿量程為10秒單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應用
采樣系統(tǒng)：流量控和樣氣/旁四通閥，流量指示
靈敏度：<0.5%滿量程
傳感器型號：S8201，免維護
傳感器壽命：24個月，25℃，平均O2<100 ppm
溫度范圍：0-45℃
質保期：12個月
樣氣接觸部分：不銹鋼
內置泵：包含（可選）
總之，單晶硅片和多晶硅片在結構、純度要求、制造工藝、應用領域和發(fā)電效率等方面存在明顯區(qū)別。根據(jù)具體應用需求，可以選擇適合的硅片類型。同時，ADEV G9600便攜式微量氧分析儀在氬氣中氧含量的控制方面發(fā)揮著重要作用，有助于提高單晶硅的質量和性能，推動半導體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
單晶硅片和多晶硅片區(qū)別及ADEV G9600便攜微量氧分析儀氬氣應用
