日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
節(jié)省空間的設計主體外殼，便攜式可移動平臺
通過PC（軟件）進行簡單的測量操作，數(shù)據(jù)存儲和管理
測量顯示單元可以根據(jù)應用（薄層電阻，電導率，電導率）進行更改
*本產品使用由我公司與千葉大學聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（號5386394）。
napson電壓激勵法超低電阻計測量目標
與新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與 導電薄膜相關（金屬，ITO等） 與化合物半導體相關（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等） 其他（*查詢）請給我）
測量尺寸
?A4尺寸（W300 x D210mm）
測量范圍
50μ?1mΩ/平方
*本產品使用由我公司與千葉大學聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法（篆隸號5386394）。
測量目標
與新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）與 導電薄膜相關（金屬，ITO等） 與化合物半導體相關（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等） 其他（*查詢）請給我）napson電壓激勵法超低電阻計
埃登威自動化系統(tǒng)設備（上海）有限公司
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