日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設備
如果您對該產品感興趣的話,可以
產品名稱:
日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設備
產品型號:
產品展商:
其它品牌
產品文檔:
無相關文檔
簡單介紹
用于FPD等剛性/柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設備低溫（150~300°C）處理形成高質量的SiO2薄膜：低應力、無等離子體損傷、小顆粒降低安裝和維護成本占地面積小，無需真空或等離子處理價格低廉日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設備特征這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng)，支持FPD等剛性/柔性器件。配備兩個氣頭，有效沉積寬度為760mm，采用吸附加熱階段，溫度可控
日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設備 的詳細介紹
用于FPD等剛性/柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)
玻璃基板沉積設備
日本AMAYA天谷 柔性器件的環(huán)境壓力CVD系統(tǒng)玻璃基板沉積設備
特征
這是第4.5代玻璃基板沉積系統(tǒng)，支持FPD等剛性/柔性器件。
配備兩個氣頭，有效沉積寬度為760mm，采用吸附加熱階段，溫度可控性±2%以內。
可以在4°C的5.250代玻璃基板上以100片/小時以上的產量形成2nm的SiO25薄膜，并且可以確保薄膜厚度均勻性在10%以內。
性能
| 涂層厚度均勻性 | ±10% |
|---|
| 支持的玻璃基板尺寸 | 4.5 生成 |
|---|
| 氣體種類 | SiH4，O 3， PH3， B2H6 |
|---|
| 沉積溫度 | 150~300°C |
|---|
主要技術指標
| 設備尺寸 | 1300mm（寬） x 7350mm（深） x 2000mm（高） |
|---|
| 氣頭 | 配備兩個氣頭，有效沉積寬度為 760 mm |
|---|
